삼성전자, 파운드리 신기술‧사업 전략 공개
삼성전자, 파운드리 신기술‧사업 전략 공개
  • 이진우 기자
  • 승인 2022.10.04 14:22
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‘삼성 파운드리 포럼 2022’서 2027년 1.4나노 양산 밝혀
삼성전자 파운드리 사업부장 최시영 사장.
삼성전자 파운드리 사업부장 최시영 사장.

[백세경제=이진우 기자] 삼성전자가 파운드리 신기술과 사업 전략을 공개했다. 지난 3일(현지 시각) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022(Samsung Foundry Forum 2022)’에서 진행된 이날 행사에는 팹리스 고객/협력사/파트너 등 500여 명이 참석했다. 

삼성전자는 지난 3일 미국(실리콘밸리)을 시작으로 7일 유럽(독일 뮌헨), 18일 일본(도쿄), 20일 한국(서울)에서 차례로 삼성 파운드리 포럼을 개최하고 지역별 고객 맞춤형 솔루션을 소개할 계획이다. 

삼성전자는 이날 △파운드리 기술 혁신 △응용처별 최적 공정 제공 △고객 맞춤형 서비스 △안정적인 생산 능력 확보 등을 앞세워 파운드리 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다고 강조했다. 

삼성전자 파운드리 사업부장 최시영 사장은 “고객의 성공이 삼성전자 파운드리사업부의 존재 이유”라면서 “삼성전자는 더 나은 미래를 창조하는 파트너로서 파운드리 산업의 새로운 기준이 되겠다”고 말했다. 

삼성전자는 선단 파운드리 공정 혁신과 함께 차세대 패키징 적층 기술 개발에 박차를 가하고 있다. 삼성전자는 2015년 핀펫(FinFET) 트랜지스터를 세계 최초로 양산하고, 6월 GAA (Gate All Around) 트랜지스터 기술을 적용한 3나노 1세대 공정 양산을 세계 최초로 시작했으며, 앞선 양산 노하우를 기반으로 3나노 응용처를 확대하고 있다. 

또한 삼성전자는 GAA 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획이다. 삼성전자는 공정 혁신과 동시에 2.5D/3D 이종 집적(Heterogeneous Integration) 패키징 기술 개발도 가속한다.

특히 삼성전자는 3나노 GAA 기술에 삼성 독자의 MBCFET (Multi Bridge Channel FET) 구조를 적용하는 한편, 3D IC 솔루션도 제공하며 고성능 반도체 파운드리 서비스를 제공할 예정이다. 앞서 삼성전자는 6월 세계 최초로 3나노 공정 기반의 HPC 제품을 양산한 데 이어, 4나노 공정을 HPC와 오토모티브로 확대한다. eNVM (embedded Non-Volatile Memory)과 RF도 다양한 공정을 개발해 고객 니즈에 맞춘 파운드리 서비스를 제공한다. 

삼성전자는 현재 양산 중인 28나노 차량용 eNVM 솔루션을 2024년 14나노로 확대하고, 향후 8나노 eNVM 솔루션을 위한 기술도 개발 중이다. 아울러 삼성전자는 RF 공정 서비스도 확대한다. 삼성전자는 현재 양산 중인 14나노 RF 공정에 이어 세계 최초로 8나노 RF 제품 양산에 성공했으며, 5나노 RF 공정도 개발 중이다.

삼성전자는 ‘삼성 파운드리 포럼’에 이어 4일 ‘SAFE 포럼(Samsung Advanced Foundry Ecosystem Forum)’도 개최하고, EDA, IP, OSAT, DSP, Cloud 분야 파트너들과 파운드리 신기술과 전략을 소개할 예정이다.

한편 삼성전자는 2027년까지 선단 공정 생산능력을 올해 대비 3배 이상 확대해 고객 니즈에 적극 대응할 계획이다. 삼성전자는 미국 테일러 파운드리 1라인에 이어 투자할 2라인을 쉘 퍼스트에 따라 진행할 계획이며 향후 국내외 글로벌 라인 확대 가능성도 밝혔다.
 

 


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